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富士发布高速分立器件IGBT“High-Speed W系列”产品
发布时间:2022-04-27        浏览次数:289        返回列表

※分立器件:晶体管或二极管等单一功能的半导体元器件
IGBT:Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双极型晶体管)

1背景
功率半导体是一种有助于节能或稳定供电的重要元器件,普遍应用于变频器、不间断电源装置、功率调节器等工业装备以及电动及混合动力汽车、通讯器材等。
根据预测,使用分立器件IGBT的工业装备和通讯器材的市场规模将于2016年达到约500亿日元,之后将以年均5%的速度稳步增长。(数据来源:IMS)。
近年来,随着全球能源需求的增长,市场对这些工业或通讯器材的节能需求也日益提高,同时还极力追求机器本身的小型化、节约占地面积。
此次发售的高速分立器件IGBT产品便吻合了上述市场需求。

2.产品特点
1)降低电耗、促进节能
功率半导体通过反复不停的开关(电气的开/关切换)操作将直流转换成交流,并进行电压控制等。本次发售的新产品由于做到了IGBT芯片的薄型化和微细化,较以往产品(High-Speed V系列)相比,开关动作时的电耗(关断损耗)减少了大约40%,从而实现了机器设备的节能和电力成本下降。

2)实现机器小型化
 通过降低开关动作时的损耗(控制发热量),较以往产品(20kHz左右)相比可以对应更高的开关频率※(20kHz~100kHz)。由此实现了机器设备外围部件(线圈、变压器)的小型化、机器设备本身的小型化和整体成本的降低。

※每1秒钟开/关切换的次数

High-Speed W系列”产品的外观

 

3产品规格和发售时期

额定电压

额定电流

发售时期

650V

40A、50A、60A

2015年12月

1,200V

2***、40A

2015年9月

 

Ext.3503

【参考】产品阵容和主要规格 

额定电压

额定电流

型号名称

内置二极管

封装形式

650V

40A

FGW40N65W

TO-247

FGW40N65WD

50A

FGW50N65W

FGW50N65WD

60A

FGW60N65W

FGW60N65WD

1,200V

2***

FGW25N120W

FGW25N120WD

40A

FGW40N120W

FGW40N120WD

 




 

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