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1．背景
功率半导体是实现节能或稳定供电的关键器件，多被嵌入UPS、功率调节器等工业设备、通讯设备及家电产品等各类电气产品中。
近年来，随着全球能源需求的不断扩大，对节能的要求也日益提高。据预测，能够减少搭载设备耗电的超结功率MOSFET在2016年将达到1200亿日元的市场规模，并将以14%的速度逐年递增（出处：IMS）。
此次，我公司正式发售一款同以往的产品相比能够减少电流阻碍，从而实现节能的最新产品“Super J MOS® S2/S2FDx系列”。
2．产品特点
（1）降低通电时的电阻，实现搭载设备节能
和以往的产品（S1系列）相比，S2系列在相同芯片面积下通电时的电阻降低近25%。这将有助于实现搭载设备的节能，节约用电成本。
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（2）实现内置二极管的快速恢复，减少开关损耗
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3．产品规格
产品系列 |
内置二极管 |
额定电压 |
通态电阻 |
额定电流 |
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S2系列 |
普通 |
600V |
380mΩ-25mΩ |
8A-96A |
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S2FD系列 |
快速 |
600V |
170mΩ-27mΩ |
18A-96A |
4．应用对象
UPS、功率调节器、EV用快速充电器、服务器或通信基站、LED照明等
5．发售时间
即日
【参考资料】产品阵容以及主要规格
Super J MOS ® S2系列
额定电压 VDS (V) |
通态电阻 |
额定电流 |
封装 |
|||
|
TO-220 |
TO-220F |
TO-3P |
TO-247 |
|||
|
600 |
380 |
8.1 |
FMP60N380S2 |
FMV60N380S2 |
|
|
|
280 |
10.4 |
FMP60N280S2 |
FMV60N280S2 |
FMH60N280S2 |
||
|
190 |
15.5 |
FMP60N190S2 |
FMV60N190S2 |
FMH60N190S2 |
FMW60N190S2 |
|
|
160 |
17.9 |
FMP60N160S2 |
FMV60N160S2 |
FMW60N160S2 |
||
|
125 |
22.7 |
FMP60N125S2 |
FMV60N125S2 |
FMW60N125S2 |
||
|
99 |
29.2 |
FMP60N099S2 |
FMV60N099S2 |
FMW60N099S2 |
||
|
88 |
32.8 |
FMP60N088S2 |
FMV60N088S2 |
FMW60N088S2 |
||
|
79 |
37.1 |
FMP60N079S2 |
FMV60N079S2 |
FMW60N079S2 |
||
|
70 |
39.4 |
FMV60N070S2 |
FMW60N070S2 |
|||
|
55 |
49.9 |
FMW60N055S2 |
||||
|
40 |
66.2 |
FMW60N040S2 |
||||
|
25 |
95.5 |
FMW60N025S2 |
||||
Super J MOS ® S2FD系列
额定电压 VDS (V) |
通态电阻Ron(mΩ) |
额定电流 |
封装 |
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|
TO-220 |
TO-220F |
TO-247 |
|||
|
600 |
170 |
17.9 |
FMP60N170S2FD |
FMV60N170S2FD |
FMW60N170S2FD |
|
133 |
22.7 |
FMP60N133S2FD |
FMV60N133S2FD |
FMW60N133S2FD |
|
|
105 |
29.2 |
FMP60N105S2FD |
FMV60N105S2FD |
FMW60N105S2FD |
|
|
94 |
32.8 |
FMP60N094S2FD |
FMV60N094S2FD |
FMW60N094S2FD |
|
|
84 |
37.1 |
FMP60N084S2FD |
FMV60N084S2FD |
FMW60N084S2FD |
|
|
75 |
39.4 |
|
FMV60N075S2FD |
FMW60N075S2FD |
|
|
59 |
49.9 |
|
|
FMW60N059S2FD |
|
|
43 |
66.2 |
|
|
FMW60N043S2FD |
|
|
27 |
95.5 |
|
FMW60N027S2FD |
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Super J MOS®为富士电机的注册商标。
